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元件参数资料
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参数目录38855
> SI1046X-T1-GE3 MOSFET N-CH 20V 606MA SC89-3
型号:
SI1046X-T1-GE3
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
Vishay Siliconix
描述:
MOSFET N-CH 20V 606MA SC89-3
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 单
SI1046X-T1-GE3 PDF
产品目录绘图
SC75(A), SC89-3, SOT-23, SOT-323
标准包装
1
系列
-
FET 型
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
-
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
420 毫欧 @ 606mA,4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
950mV @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
1.49nC @ 5V
输入电容 (Ciss) @ Vds
66pF @ 10V
功率 - 最大
250mW
安装类型
表面贴装
封装/外壳
SC-89,SOT-490
供应商设备封装
SC-89-3
包装
标准包装
其它名称
SI1046X-T1-GE3DKR
查看SI1046X-T1-GE3代理商
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CTB08-1200TW
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4300-000LF
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0201ZK5R6BBSTR
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04023J2R0ABWTR
AVX Corporation CAP THIN FILM 2PF 25V 0402
W3A4YA680KAT2A
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W3A4YA470KAT2A
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